Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Формирование гетероструктур наноприборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии
6. Дельта-легирование
Поставить закладку
6.1. Сегрегация легирующей примеси
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 20 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
1. Применение наноструктур в приборах
2. Сравнение молекулярно-лучевой эпитаксии с другими методами изготовления наноструктур
3. Установка молекулярно-лучевой эпитаксии
+
4. Измерение скорости роста
+
5. Поведение частиц при росте слоев AlxGa1-xAs
+
6. Дельта-легирование
-
6.1. Сегрегация легирующей примеси
6.2. Сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия
6.3. Легирование кремния эрбием
6.4. Легирование AlGaAs железом
7. МЛЭ-рост 2D-наноструктур (нанослоев)
+
8. МЛЭ-рост 1D-наноструктур (нанонитей)
+
9. МЛЭ-рост 0D-наноструктур (наночастиц)
+
Заключение
Литература
Данный блок поддерживает скрол*