Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Выращивание кристаллов: выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления
3. Принцип работы магнетронных установок напыления
Поставить закладку
3.1. Производственная чистота технологического процесса получения эпитаксиальных пленок
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
1. Цели и задачи лабораторной работы
2. Теоретическое введение. Физические аспекты получения тонкопленочных структур методом магнетронного напыления
+
3. Принцип работы магнетронных установок напыления
-
3.1. Производственная чистота технологического процесса получения эпитаксиальных пленок
3.2. Методика подготовки поверхности образцов подложки для выращивания пленок
4. Методика выполнения лабораторной работы по магнетронному напылению
+
Контрольные вопросы
Библиографический список
Приложение 1. Основные физические константы
Приложение 2. Ведомость процесса выращивания кристаллических пленок на установке магнетронного распыления SunPla-40
Данный блок поддерживает скрол*