Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Выращивание кристаллов: выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления
3. Принцип работы магнетронных установок напыления
/
/
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
1. Цели и задачи лабораторной работы
2. Теоретическое введение. Физические аспекты получения тонкопленочных структур методом магнетронного напыления
+
3. Принцип работы магнетронных установок напыления
-
3.1. Производственная чистота технологического процесса получения эпитаксиальных пленок
3.2. Методика подготовки поверхности образцов подложки для выращивания пленок
4. Методика выполнения лабораторной работы по магнетронному напылению
+
Контрольные вопросы
Библиографический список
Приложение 1. Основные физические константы
Приложение 2. Ведомость процесса выращивания кристаллических пленок на установке магнетронного распыления SunPla-40
Данный блок поддерживает скрол*