Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Выращивание кристаллов: выращивание кристаллических пленок методом магнетронного напыления
2. Теоретическое введение. Физические аспекты получения тонкопленочных структур методом магнетронного напыления
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
1. Цели и задачи лабораторной работы
2. Теоретическое введение. Физические аспекты получения тонкопленочных структур методом магнетронного напыления
-
2.1. Теоретические основы процесса магнетронного напыления
2.2. Методы получения тонкопленочных структур, их преимущества и недостатки
2.3. Механизмы эпитаксиального роста тонких пленок
2.4. Основные источники образования структурных дефектов. Особенности гетероэпитаксии
2.5. Физические основы технологии магнетронного распыления
2.6. Принципиальная схема магнетронной распылительной системы. Основные рабочие характеристики магнетронного напыления
2.7. Возможности и преимущества магнетронного нанесения пленок
3. Принцип работы магнетронных установок напыления
+
4. Методика выполнения лабораторной работы по магнетронному напылению
+
Контрольные вопросы
Библиографический список
Приложение 1. Основные физические константы
Приложение 2. Ведомость процесса выращивания кристаллических пленок на установке магнетронного распыления SunPla-40
Данный блок поддерживает скрол*