Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика и химия твердого тела. Точечные дефекты в ионных кристаллах
Задача 1. Квазихимические процессы при возникновении нестехиометричности в кристаллах галогенидов одновалентных металлов
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Задача 1. Квазихимические процессы при возникновении нестехиометричности в кристаллах галогенидов одновалентных металлов
-
Указания к выполнению задачи 1
Задача 2. Квазихимические реакции образования растворов замещения в кристаллических галогенидах щелочных металлов
+
Задача 3. Квазихимическое равновесие в нестехиометрических оксидах (сульфидах) n-типа
+
Задача 4. Квазихимическое равновесие в нестехиометрических оксидах (сульфидах) p-типа
+
Задача 5. Электронная модель F-центра в кристаллах галогенидов щелочных металлов и ее экспериментальная проверка
+
Задача 6. Определение энергии активации самодиффузии катионов и энергии образования дефектов Шоттки в галогенидах щелочных металлов по данным о температурной зависимости их ионной электропроводимости
+
Задача 7. Влияние легирующих добавок на константу параболического окисления металлов
+
Приложение А. Система символических обозначений дефектов Шоттки - Хауффе
Приложение Б. Система символических обозначений дефектов по Крёгеру и Винку
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*