Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика полупроводниковых систем. Основные понятия
Глава 5. Делокализованные электронные и дырочные состояния. Энергетические зоны в трехмерных кристаллах
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Пролог. Полупроводники в мире материалов
Глава 1. Полупроводниковые материалы и приборы
Глава 2. Межатомные связи. Структура конденсированных систем. Прямая и обратная решетки Браве
Глава 3. Решеточные свойства кристаллических систем. Зоны Бриллюэна. Концепция квазичастиц
Глава 4. Колебания кристаллической решетки
Глава 5. Делокализованные электронные и дырочные состояния. Энергетические зоны в трехмерных кристаллах
Глава 6. Поверхность. Пленки, нити, наночастицы
Глава 7. Дефекты кристаллической структуры. Неупорядоченные конденсированные системы
Глава 8. Локализованные электронные состояния
Глава 9. Решеточная теплопроводность. Атомная диффузия в кристаллических матрицах
Глава 10. Миграция электронов и дырок. Термоэлектричество. Сверхпроводимость
Глава 11. Магнитные свойства материалов. Резонансы
Глава 12. Оптические и электрические свойства полупроводниковых материалов
Глава 13. Нелинейные свойства конденсированных систем
Глава 14. Полупроводниковые приборные структуры
Приложение. Начала статистической термодинамики и квантовой механики
Список литературы
Предметный указатель
Фундаментальные физические постоянные
Данный блок поддерживает скрол*