Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы микроэлектроники
ГЛАВА 9. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Принятые обозначения и сокращения
Введение
ГЛАВА 1. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОГРАФИИ
+
ГЛАВА 2. ЭЛЕМЕНТЫ АТОМНОЙ И КВАНТОВОЙ ФИЗИКИ
+
ГЛАВА 3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
+
ГЛАВА 4. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ
+
ГЛАВА 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ГРУППЫ ДИОДОВ
+
ГЛАВА 6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
+
ГЛАВА 7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
+
ГЛАВА 8. ТИРИСТОРЫ
+
ГЛАВА 9. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
-
9.1. Общие сведения о биполярных транзисторах с изолированным затвором
9.2. Структура и принцип действия биполярных транзисторов с изолированным затвором
9.3. Характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором
Литература к главе 9
Данный блок поддерживает скрол*