Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы микроэлектроники
ГЛАВА 7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Принятые обозначения и сокращения
Введение
ГЛАВА 1. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОГРАФИИ
+
ГЛАВА 2. ЭЛЕМЕНТЫ АТОМНОЙ И КВАНТОВОЙ ФИЗИКИ
+
ГЛАВА 3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
+
ГЛАВА 4. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ
+
ГЛАВА 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ГРУППЫ ДИОДОВ
+
ГЛАВА 6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
+
ГЛАВА 7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
-
7.1. Общие сведения о полевых транзисторах. Виды полевых транзисторов
7.2. Полевые транзисторы с р-п-переходом
7.2.1. Структура и принцип действия полевых транзисторов с р-п-переходом
7.2.2. Динамические характеристики полевых транзисторов с р-п-переходом
7.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
7.3.1. Структура и характеристики МДП-конденсатора
7.3.2. Структура и принцип действия полевых транзисторов с изолированным затвором
7.4. Характеристики полевых транзисторов
7.5. Элементы памяти на основе полевых транзисторов
Литература к главе 7
ГЛАВА 8. ТИРИСТОРЫ
+
ГЛАВА 9. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
+
Данный блок поддерживает скрол*