Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы микроэлектроники
ГЛАВА 4. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Принятые обозначения и сокращения
Введение
ГЛАВА 1. ЭЛЕМЕНТЫ КРИСТАЛЛОГРАФИИ
+
ГЛАВА 2. ЭЛЕМЕНТЫ АТОМНОЙ И КВАНТОВОЙ ФИЗИКИ
+
ГЛАВА 3. СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ
+
ГЛАВА 4. КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ В МЕТАЛЛАХ И ПОЛУПРОВОДНИКАХ
-
4.1. Работа выхода. Контактная разность потенциалов
4.2. Переходы металл - полупроводник
4.3. Переходы между полупроводниками р-типа и n-типа
4.3.1. Виды р-п-переходов
4.3.2. Контактная разность потенциалов в р-п-переходе, характеристики потенциального барьера
4.3.3. Статическая вольт-амперная характеристикар-п-перехода
4.3.4. Пробой р-п-перехода
4.3.5. Динамические характеристики р-п-перехода. Барьерная и диффузионная емкость р-п-перехода
4.4. Переходы между полупроводниками с собственной и примесной проводимостью, между полупроводниками с одним типом проводимости и различной концентрацией примеси
4.5. Гетеропереходы
Литература к главе 4
ГЛАВА 5. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ ГРУППЫ ДИОДОВ
+
ГЛАВА 6. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
+
ГЛАВА 7. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
+
ГЛАВА 8. ТИРИСТОРЫ
+
ГЛАВА 9. БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
+
Данный блок поддерживает скрол*