Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы проектирования субмикронных микросхем
Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов
Поставить закладку
1.1. Физические основы работы субмикронных МОП-транзисторов
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Вместо предисловия - дайджест
Введение
Глава 1. Физические основы работы полевых транзисторов
-
1.1. Физические основы работы субмикронных МОП-транзисторов
1.2. Анализ работы МОП-транзистора с длинным каналом
1.3. Анализ физических процессов, происходящих в субмикронном МОП-транзисторе
Литература к главе 1
Глава 2. Особенности конструктивно-схемотехнического проектирования субмикронных микросхем
+
Глава 3. Основные характеристики цифровых микросхем
+
Глава 4. Схемотехнические решения цифровых КМОП-микросхем
+
Глава 5. Схемотехнические решения биполярных микросхем
+
Глава 6. Схемотехнические решения БиКМОП-микросхем
+
Глава 7. Особенности проектирования радиационностойких микросхем на основе КНС и КНИ-структур
+
Глава 8. Библиотеки проектирования субмикронных микросхем - структура и особенности
+
Глава 9. Маршруты проектирования цифровых микросхем и систем-на-кристалле
+
Глава 10. Основы логического проектирования КМОП-микросхем с пониженным энергопотреблением
+
Глава 11. Основы проектирования кибербезопасных микросхем и систем-на-кристалле
+
Глава 12. Основы построения системы управления качеством изготовления субмикронных интегральных микросхем на базе тестовых структур
+
Глава 13. Основные тенденции развития, проблемы и угрозы современной микроэлектроники
+
Глава 14. Технологии корпусирования микросхем
+
Данный блок поддерживает скрол*