Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Космическая электроника. Книга 1.
Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
+
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
+
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+
Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур
+
Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе
+
Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине
+
Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения
+
Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами
+
Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц
+
Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц
+
Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем
+
Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства
-
17.1. Постановка задачи для случая параметрического контроля интегральных микросхем при номинальных режимах функционирования
17.2. Методика определения коэффициентов чувствительности выходных параметров биполярных интегральных микросхем
17.3. Выявление микросхем со скрытыми дефектами на основе анализа границ области функционирования
17.4. Оценка численных значений показателей безотказности по результатам экспериментальных исследований интегральных микросхем
17.5. Исследование механизмов влияния скрытых дефектов на численные значения основных статических параметров биполярных ИМС
17.6. Анализ модели математической обработки результатов форсированных испытаний КМОП-микросхем
17.7. Основные методы выявления и отбраковки потенциально ненадежных схем в условиях серийного производства
Литература к главе 17
Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами
+
Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений
+
Глава 20. Вместо заключения
+
Данный блок поддерживает скрол*