Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Космическая электроника. Книга 1.
Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе
Поставить закладку
10.1. Проблемы масштабирования субмикронных микросхем
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 13 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
+
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
+
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+
Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур
+
Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе
-
10.1. Проблемы масштабирования субмикронных микросхем
10.2. Тенденции и проблемы проектирования кремниевых интегральных микросхем с проектными нормами глубокого субмикрона
10.3. Токи утечки и статическое потребление мощности в структуре кремниевого МОП-транзистора
10.4. Динамическое потребление мощности в типовой структуре субмикронного МОП-транзистора
10.5. Влияние температуры и разброса технологических параметров на характеристики кремниевых субмикронных ИМС
10.6. Особенности проектирования топологии аналоговых ИМС с проектными нормами глубокого субмикрона
10.7. Общие выводы и рекомендации
Литература к главе 10
Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине
+
Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения
+
Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами
+
Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц
+
Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц
+
Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем
+
Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства
+
Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами
+
Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений
+
Глава 20. Вместо заключения
+
Данный блок поддерживает скрол*