Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Космическая электроника. Книга 1.
Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
+
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
+
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+
Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур
-
9.1. Радиационно-стойкие КМОП БИС на основе КНИ структур
9.2. Воздействие ионизирующего облучения на кремний и двуокись кремния
9.3. Физические явления в МОП/КНИ транзисторах в условиях воздействия ИИ
9.4. Результаты экспериментальных исследований образцов элементной базы КМОП БИС на КНИ-структурах
Литература к главе 9
Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе
+
Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине
+
Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения
+
Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами
+
Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц
+
Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц
+
Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем
+
Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства
+
Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами
+
Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений
+
Глава 20. Вместо заключения
+
Данный блок поддерживает скрол*