Поиск

Закладки

Озвучивание недоступно

Озвучить книгу

Изменить режим чтения

Изменить размер шрифта

Оглавление

Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Космическая электроника. Книга 1.

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы

Предыдущая страница

Следующая страница

Оглавление

Предисловие

Введение

Перечень условных обозначений

Глава 1. Современные космические аппараты +

Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов +

Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники +

Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов +

Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств +

Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки +

Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы -

7.1. Физические механизмы воздействия радиации на субмикронные КМОП интегральные микросхемы

7.2. Воздействие радиации на аналоговые биполярные интегральные микросхемы

7.3. Основные методы обеспечения радиационной стойкости интегральных микросхем

7.4. Радиационная стойкость современных и перспективных ИМС

7.5. Рекомендуемый набор тестовых элементов для экспериментальных исследований влияния радиационных воздействий на характеристики кремниевых микросхем

7.6. Оборудование и методики облучения тестовых структур и исследуемых образцов микросхем

7.7. Методика измерения электрических параметров тестовых структур после радиационной обработки

7.8. Экспериментальные результаты воздействия электронного облучения на параметры эпитаксиальных кремниевых p-n-структур

7.9. Экспериментальные результаты исследования воздействия проникающей радиации на параметры биполярных транзисторных структур

7.10. Экспериментальные исследования влияния ионизирующих излучений на параметры биполярных аналоговых интегральных микросхем

7.11. Экспериментальные результаты исследований воздействия ионизирующих излучений на параметры транзисторных МОП-структур и интегральных микросхем на их основе

7.12. Особенности применения имитационных методов исследования радиационных эффектов в БиКМОП микросхемах

Литература к главе 7

Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем +

Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур +

Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе +

Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине +

Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения +

Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами +

Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц +

Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц +

Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем +

Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства +

Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами +

Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений +

Глава 20. Вместо заключения +

Данный блок поддерживает скрол*