Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Космическая электроника. Книга 1.
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
Поставить закладку
6.1. О терминологии субмикронной микроэлектроники
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Введение
Перечень условных обозначений
Глава 1. Современные космические аппараты
+
Глава 2. Отказы и аварии ракетоносителей и космических аппаратов
+
Глава 3. Микроэлектронная элементная база ракетно-космической техники
+
Глава 4. Особенности выбора и применения иностранной ЭКБ для проектирования отечественных космических аппаратов
+
Глава 5. Методы минимизации энергопотребления микроэлектронных устройств
+
Глава 6. Особенности технологического процесса изготовления и базовых конструкций субмикронных транзисторов и диодов Шоттки
-
6.1. О терминологии субмикронной микроэлектроники
6.2. Тенденции и перспективы развития современной технологии в микроэлектронике
6.3. Особенности субмикронных МОП-транзисторов
6.4. Конструктивно-технологические особенности высокотемпературных диодов Шоттки
6.5. Конструктивно-технологические особенности формирования структур диодов Шоттки с повышенной устойчивостью к разрядам статического электричества
Литература к главе 6
Глава 7. Особенности воздействия радиации на субмикронные интегральные микросхемы
+
Глава 8. Методы прогнозирования и повышения радиационной стойкости биполярных и КМОП интегральных микросхем
+
Глава 9. Проектирование микросхем космического применения на основе КНС и КНИ-структур
+
Глава 10. Анализ общих проблем проектирования сверхбыстродействующих микроэлектронных изделий и систем на их основе
+
Глава 11. Микросистемы в корпусе и на пластине
+
Глава 12. Проблемы получения материалов для защиты интегральных микросхем от высокоскоростных потоков микрочастиц и пути их решения
+
Глава 13. Методики и оборудование для исследования процессов взаимодействия высокоскоростных потоков микрочастиц с материалами
+
Глава 14. Влияние воздействия высокоскоростных потоков микрочастиц
+
Глава 15. Изменение структуры и свойств одно- и многослойных материалов при воздействии высокоскоростным потоком микрочастиц
+
Глава 16. Особенности технологии изготовления многослойных защитных материалов для корпусов интегральных микросхем
+
Глава 17. Методы отбраковки кремниевых микросхем со скрытыми дефектами в процессе серийного производства
+
Глава 18. Дизайн-киты (PDK) - структура и особенности их применения при проектировании изделий с субмикронными проектными нормами
+
Глава 19. СВЧ-электроника для космических и военных приложений
+
Глава 20. Вместо заключения
+
Данный блок поддерживает скрол*