Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Нанотехнологии в электронике. Выпуск 2
Глава 4. Размерный эффект плавления в пленочных структурах наноэлектроники
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 8 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Резонансно-туннельные гетероструктуры: физика и приборные применения
+
Глава 2. Электрофизические характеристики неоднородных диэлектриков микро- и наноэлектроники
+
Глава 3. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники
+
Глава 4. Размерный эффект плавления в пленочных структурах наноэлектроники
-
4.1. Физико-химическое обоснование размерного эффекта плавления тонкой пленки
4.2. Размерный эффект плавления в алюминиевой металлизации интегральных схем
4.3. Размерный эффект плавления в медной металлизации интегральных схем
4.4. Использование размерного эффекта плавления тонкой пленки для заполнения медью узких траншей в технологии damascene
4.5. Использование размерного эффекта плавления тонкой пленки для формирования массива нанокластеров
4.6. Использование размерного эффекта плавления тонкой пленки для сращивания подложек
Автор
Литература
Глава 5. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии
+
Глава 6. Рентгеновские методы исследования наноструктур и нанообъектов электроники
+
Глава 7. Наноструктуры на основе метода локального зондового окисления
+
Глава 8. Плазменные методы создания наноструктур
+
Глава 9. Наноструктурированные оксиды металлов в технологии устройств функциональной электроники
+
Глава 10. Функциональные некристаллические покрытия для микро- и наноэлектроники
+
Глава 11. Лазерный метод создания биосовместимых композиционных наноматериалов с углеродными нанотрубками
+
Глава 12. Микро- и наноэлектромеханические системы и устройства
+
Глава 13. Элементы наноэлектроники на основе высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10
+
Глава 14. Магниторезистивные структуры в устройствах наноэлектроники и микросистемной техники
+
Глава 15. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе
+
Данный блок поддерживает скрол*