Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Нанотехнологии в электронике. Выпуск 2
Глава 3. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Резонансно-туннельные гетероструктуры: физика и приборные применения
+
Глава 2. Электрофизические характеристики неоднородных диэлектриков микро- и наноэлектроники
+
Глава 3. Моделирование элементов интегральной наноэлектроники
-
3.1. Наноразмерные транзисторы в КМОП ИС
3.2. Модели наноразмерных МДП-транзисторов с непланарным затвором
3.3. Тепловые эффекты в тонкопленочных транзисторных структурах
3.4. Моделирование интегральных наноструктур в среде TCAD
Авторы
Литература
Глава 4. Размерный эффект плавления в пленочных структурах наноэлектроники
+
Глава 5. Исследование наноразмерных областей методами просвечивающей электронной микроскопии
+
Глава 6. Рентгеновские методы исследования наноструктур и нанообъектов электроники
+
Глава 7. Наноструктуры на основе метода локального зондового окисления
+
Глава 8. Плазменные методы создания наноструктур
+
Глава 9. Наноструктурированные оксиды металлов в технологии устройств функциональной электроники
+
Глава 10. Функциональные некристаллические покрытия для микро- и наноэлектроники
+
Глава 11. Лазерный метод создания биосовместимых композиционных наноматериалов с углеродными нанотрубками
+
Глава 12. Микро- и наноэлектромеханические системы и устройства
+
Глава 13. Элементы наноэлектроники на основе высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10
+
Глава 14. Магниторезистивные структуры в устройствах наноэлектроники и микросистемной техники
+
Глава 15. Кремниевые биполярные гетероструктуры и проектирование СВЧ интегральных схем на их основе
+
Данный блок поддерживает скрол*