Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Ионно-плазменные процессы в тонкопленочной технологии
Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда
Поставить закладку
8.1. Моделирование изменения параметров процесса реактивного нанесения во времени
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Введение
Глава 1. Пробои на катоде магнетрона
+
Глава 2. Процесс реактивного магнетронного распыления со среднечастотным источником питания магнетрона
+
Глава 3. Процессы в плазме у поверхности растущей пленки
+
Глава 4. Особенности реактивного магнетронного распыления
+
Глава 5. Получение пленок тройных и более сложных химических соединений
+
Глава 6. Структура тонких пленок и способы управления ею
+
Глава 7. Способы равномерного нанесения пленки из протяженного магнетронного источника
+
Глава 8. Основы моделирования реактивного разряда
-
8.1. Моделирование изменения параметров процесса реактивного нанесения во времени
8.2. Моделирование установившегося процесса реактивного нанесения
8.3. Представление вольт-амперных характеристик разряда
8.4. Моделирование процессов в разряде в течение периода импульса
8.5. Моделирование процессов при среднечастотном импульсном распылении
8.6. Моделирование неустановившихся процессов реактивного распыления
8.7. Экспериментальные исследования процессов релаксации в реактивном разряде после каких-либо резких изменений условий разряда
8.8. Особенности моделирования процесса реактивного нанесения нитридов кремния и алюминия
8.9. Примеры применения моделей реактивного распыления
Литература
Глава 9. Вакуумные напылительные установки фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 10. ТСР источники плазмы
Глава 11. Вакуумные установки для ионного и плазмохимического травления фирмы ООО "ЭСТО-Вакуум"
+
Глава 12. Применения установок плазмохимического травления с устройствами ТСР разряда
+
Глава 13. Установка Caroline PECVD 15 для плазмостимулированного химического осаждения из паров (PECVD) с применением ТСР источника
+
Глава 14. Рекомендации по комплектации вакуумных участков для производства различных изделий электронной техники вакуумно-технологическим оборудованием фирмы "ЭСТО-Вакуум"
+
Приложение Общепринятые в иностранной литературе сокращения
Данный блок поддерживает скрол*