Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Изучение межатомного взаимодействия, образования вакансий и самодиффузии в кристаллах

Глава 4. Метод расчета параметров образования вакансий в структуре простого вещества

Для продолжения работы требуется Регистрация
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 4. Метод расчета параметров образования вакансий в структуре простого вещества
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Оглавление

Глава 4. Метод расчета параметров образования вакансий в структуре простого вещества-
4.1. Метод расчета вакансионных параметров
4.2. Определение среднеквадратичного смещения для атома в Л- или Д-состоянии
4.3. Термодинамические параметры образования вакансий
4.4. Оценочные расчеты энергии создания вакансии
4.5. О проблемах расчета вакансионных параметров для кристаллов гелия
4.6. Расчет вакансионных параметров для квантовых криокристаллов
4.7. О корреляции вакансионных параметров с температурой плавления и массой атома
4.8. О корреляции вакансионных параметров криокристаллов друг с другом
4.9. Зависимость вакансионных параметров аргона от температуры
4.10. О параметрах "нулевых вакансий" при 0K
4.11. О некоторых эффектах, вызванных наличием "нулевых вакансий" при низких температурах
4.12. Об изменении концентрации вакансий при плавлении аргона
4.13. Расчет вакансионных параметров для металлов и полупроводников
4.14. Об эмпирических соотношениях для вакансионных параметров металлов
4.15. Изменение вакансионных параметров при плавлении металлов и полупроводников
4.16. Зависимость параметров образования вакансий от изотопного состава кристалла
4.17. Выводы
Данный блок поддерживает скрол*