Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий
Глава 6. Сверхвысокочастотное плазмохимическое травление кремниевых материалов
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Физико-технические основы создания СВЧ плазменных устройств c электронным циклотронным резонансом
+
Глава 2. Взаимодействие электромагнитных волн с плазмой во внешнем магнитном поле
+
Глава 3. Диффузионная модель СВЧ газового разряда и ее применение в технологических процессах
+
Глава 4. Характеристики СВЧ-плазмы в магнитном поле
+
Глава 5. Сверхвысокочастотное плазмохимическое травление
+
Глава 6. Сверхвысокочастотное плазмохимическое травление кремниевых материалов
-
§6.1.Скорость и селективность СВЧ-травления
§6.2.Качество СВЧ-травления
§6.3.Сверхвысокочастотное травление кремниевых пластин различных кристаллографических ориентаций
§6.4.Механизм и анизотропность высоковакуумного СВЧ-травления
§6.5.Влияние структуры поверхности на качество травления
Глава 7. Плазмохимический СВЧ-синтез низкоразмерных гетероструктур на основе кремния и его соединений
+
Глава 8. Плазмохимический СВЧ-синтез низкоразмерных углеродных структур различных аллотропных модификаций
+
Список литературы
Данный блок поддерживает скрол*