Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика СВЧ вакуумно-плазменных нанотехнологий
Глава 3. Диффузионная модель СВЧ газового разряда и ее применение в технологических процессах
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Физико-технические основы создания СВЧ плазменных устройств c электронным циклотронным резонансом
+
Глава 2. Взаимодействие электромагнитных волн с плазмой во внешнем магнитном поле
+
Глава 3. Диффузионная модель СВЧ газового разряда и ее применение в технологических процессах
-
§3.1.Равномерность обработки в одномодовых СВЧ-источниках плазмы
§3.2.Влияние геометрии реактора и источника ионизации на параметры плазменной обработки
§3.3.Равномерность и производительность СВЧ плазменной обработки в убывающем магнитном поле
§3.4.Диффузия электронов в цилиндрическом плазмотроне с внешним магнитным полем
§3.5.Диффузионная модель газового СВЧ-разряда в магнитном поле с ненулевыми граничными условиями
Глава 4. Характеристики СВЧ-плазмы в магнитном поле
+
Глава 5. Сверхвысокочастотное плазмохимическое травление
+
Глава 6. Сверхвысокочастотное плазмохимическое травление кремниевых материалов
+
Глава 7. Плазмохимический СВЧ-синтез низкоразмерных гетероструктур на основе кремния и его соединений
+
Глава 8. Плазмохимический СВЧ-синтез низкоразмерных углеродных структур различных аллотропных модификаций
+
Список литературы
Данный блок поддерживает скрол*