Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы физики полупроводников
Глава 8. Оптические свойства полупроводников
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Глава 1. Симметрия кристаллов
+
Глава 2. Колебания, волны и разложения в ряды Фурье
+
Глава 3. Колебания кристаллической решетки
+
Глава 4. Электроны в идеальном кристалле
+
Глава 5. Статистика электронов и дырок в полупроводниках
+
Глава 6. Кинетические явления в полупроводниках
+
Глава 7. Поведение избыточных (неравновесных) носителей заряда в полупроводниках
+
Глава 8. Оптические свойства полупроводников
-
8.1. Введение. Прямые и непрямые оптические переходы
8.2. Квантовомеханический подход к задаче о поглощении света
8.3. Поглощение света свободными носителями заряда
8.4. Непрямые межзонные переходы
8.5. Индуцированное (вынужденное) излучение. Формулы Планка и Эйнштейна
8.6. Влияние магнитного поля на межзонное поглощение света
8.7. Влияние электрического поля на край фундаментального поглощения света. Эффект Келдыша-Франца
Задачи
Глава 9. Кинетические явления в полупроводниках в магнитном поле
+
Книги по физике полупроводников
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*