Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика полупроводниковых приборов.
Глава 4. Полевые транзисторы
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 14 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Полупроводниковые диоды
+
Глава 2. Биполярные транзисторы
+
Глава 3. Тиристоры и другие многослойные структуры
+
Глава 4. Полевые транзисторы
-
4.1. Полевые транзисторы с изолированным затвором
4.1.1. МОП-конденсатор
4.1.2. Вольт-амперная характеристика МОП-транзистора
4.1.3. Особенности реальных полевых транзисторов
4.1.4. Полевые транзисторы с коротким каналом
4.1.5. Быстродействие полевых транзисторов
4.1.6. Пути дальнейшего повышения быстродействия МОП-транзисторов
4.1.7. Мощные и высоковольтные МОП-транзисторы
4.2. Элементы интегральных схем на МОП-транзисторах
4.2.1. Интегральные схемы на n-МОП-транзисторах
4.2.2. КМОП-структуры
4.2.3. Энергонезависимые постоянные запоминающие устройства на МОП-транзисторах
4.3. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом и барьером Шоттки
Глава 5. Приборы с зарядовой связью
Глава 6. Полупроводниковые СВЧ приборы
+
Глава 7. Оптоэлектронные приборы
+
Приложение
Список литературы
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*