Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика полупроводниковых приборов.
Глава 2. Биполярные транзисторы
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Полупроводниковые диоды
+
Глава 2. Биполярные транзисторы
-
2.1. Немного истории. Конструкции биполярного транзистора
2.2. Параметры, определяющие коэффициент усиления транзистора
2.2.1. Коэффициент инжекции эмиттера
2.2.2. Коэффициент переноса носителей через базу
2.2.3. Эффективность инжекции при очень малых и очень больших токах
2.2.4. Эффект оттеснения эмиттерного тока
2.2.5. Влияние напряжения на коллекторе на коэффициент усиления
2.3. Транзистор при высоком напряжении на коллекторе
2.4. Высокочастотные свойства и быстродействие транзисторов
2.4.1. Частота отсечки и максимальная частота генерации
2.4.2. Гетеропереходные транзисторы
2.5. Транзисторы в схемах усиления сигналов
2.5.1. Схемы включения транзистора и выбор рабочей точки
2.5.2. Описание транзистора с помощью h-параметров
2.6.Шумы в биполярных транзисторах
2.7. Особенности работы транзисторов в импульсном режиме
2.8. Элементы интегральных схем на биполярных транзисторах
2.8.1. Планарная технология
2.8.2. Особенности устройства цифровых ИС на биполярных транзисторах
Глава 3. Тиристоры и другие многослойные структуры
+
Глава 4. Полевые транзисторы
+
Глава 5. Приборы с зарядовой связью
Глава 6. Полупроводниковые СВЧ приборы
+
Глава 7. Оптоэлектронные приборы
+
Приложение
Список литературы
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*