Поиск
Закладки
Озвучить текст Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика полупроводниковых приборов.

Глава 2. Биполярные транзисторы

2.1. Немного истории. Конструкции биполярного транзистора

Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте просмотр в виде pdf. Вам доступно 15 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется Регистрация
На предыдущую страницу

Предыдущая страница

Следующая страница

На следующую страницу
Глава 2. Биполярные транзисторы
На предыдущую главу Предыдущая глава
оглавление
Следующая глава На следующую главу

Оглавление

Глава 2. Биполярные транзисторы-
2.1. Немного истории. Конструкции биполярного транзистора
2.2. Параметры, определяющие коэффициент усиления транзистора
2.2.1. Коэффициент инжекции эмиттера
2.2.2. Коэффициент переноса носителей через базу
2.2.3. Эффективность инжекции при очень малых и очень больших токах
2.2.4. Эффект оттеснения эмиттерного тока
2.2.5. Влияние напряжения на коллекторе на коэффициент усиления
2.3. Транзистор при высоком напряжении на коллекторе
2.4. Высокочастотные свойства и быстродействие транзисторов
2.4.1. Частота отсечки и максимальная частота генерации
2.4.2. Гетеропереходные транзисторы
2.5. Транзисторы в схемах усиления сигналов
2.5.1. Схемы включения транзистора и выбор рабочей точки
2.5.2. Описание транзистора с помощью h-параметров
2.6.Шумы в биполярных транзисторах
2.7. Особенности работы транзисторов в импульсном режиме
2.8. Элементы интегральных схем на биполярных транзисторах
2.8.1. Планарная технология
2.8.2. Особенности устройства цифровых ИС на биполярных транзисторах
Данный блок поддерживает скрол*