Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физика полупроводниковых приборов.
Глава 1. Полупроводниковые диоды
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
Глава 1. Полупроводниковые диоды
-
1.1. Потенциальный барьер в p-n-переходе
1.2. Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
1.2.1. Вольт-амперная характеристика тонкого p-n-перехода
1.2.2. Влияние генерации и рекомбинации в области пространственного заряда на вольт-амперные характеристики p-n-перехода (модель Са-Нойса-Шокли)
1.2.3. p-n-переход при высоких уровнях инжекции
1.2.4. Вольт-амперная характеристика p-n-диода
1.3. Явление пробоя p-n-перехода
1.3.1. Лавинный пробой p-n-перехода
1.3.2. Туннельный пробой p-n-перехода
1.3.3. Тепловой пробой p-n-перехода
1.3.4. Стабилитроны
1.4. Туннельные диоды
1.4.1. Вольт-амперная характеристика туннельного диода
1.4.2. Избыточный ток в туннельных диодах
1.4.3. Выбор материалов для туннельных диодов
1.4.4. Обращенные диоды
1.5. Диоды с барьером Шоттки
1.5.1. Энергетическая диаграмма контакта металл-полупроводник
1.5.2. Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки
1.5.3. Омические контакты к полупроводникам
1.6. Гетеропереходы и сверхрешетки
1.6.1. Гетеропереходы
1.6.2. Квантовые ямы и сверхрешетки
1.7. Диод на переменном токе
1.7.1. Барьерная емкость
1.7.2. Диффузионная емкость
1.7.3. Импульсные характеристики и быстродействие диодов
1.7.4. Диоды с накоплением заряда
1.7.5. Емкостная спектроскопия глубоких уровней
Глава 2. Биполярные транзисторы
+
Глава 3. Тиристоры и другие многослойные структуры
+
Глава 4. Полевые транзисторы
+
Глава 5. Приборы с зарядовой связью
Глава 6. Полупроводниковые СВЧ приборы
+
Глава 7. Оптоэлектронные приборы
+
Приложение
Список литературы
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*