Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы технологии электронной компонентной базы : практикум
3. Расчет режимов ионной имплантации и результирующего профиля примесных атомов при изготовлении транзистора
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 3 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
1. Расчет режимов термического окисления и диффузии при проектировании p+ -n- переходов фотодиодов на кремнии
2. Расчет режимов термического окисления, диффузии и профилей распределения примесных атомов при изготовлении транзистора
3. Расчет режимов ионной имплантации и результирующего профиля примесных атомов при изготовлении транзистора
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*