Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Молекулярно-пучковая и МОС-гидридная технологии. Методы формирования наноструктурированных гетерокомпозиций
4. Возможности методов МЛЭ и ГФЭ МОС в наноэлектронике
Поставить закладку
4.1. Транзисторы с высокой подвижностью носителей
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 20 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
1. История, состояние и перспективы развития нанотехнологии в электронике
2. Квантовые основы наноэлектроники
+
3. Методы изготовления наноразмерных гетероструктур
+
4. Возможности методов МЛЭ и ГФЭ МОС в наноэлектронике
-
4.1. Транзисторы с высокой подвижностью носителей
4.2. Одноэлектронный транзистор
Библиографичекий список
Данный блок поддерживает скрол*