Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Технология объемных монокристаллов полупроводников и диэлектриков: выращивание технологичных монокристаллов иодата лития для устройств нелинейной оптики
Приложение 2. Текст программы для вычисления параметров процесса выращивания гексагонального монокристалла иодата лития
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
1. Иодат лития, его кристаллическая структура и основные физические свойства
2. Выращивание монокристаллов иодата лития
3. Основные технологические приемы при подготовке и проведении процесса выращивания монокристаллов иодата лития
4. Микропримеси в монокристаллах иодата лития и их влияние на рост и свойства монокристалла
5. Закон распределения микропримесей Дернера-Хоскинса и математическая модель неоднородности монокристаллов, выращенных из раствора
6. Определение концентрации катионных микропримесей
7. Технологические приемы, позволяющие выращивать монокристаллы гексагонального иодата лития с управляемым и контролируемым характером распределения катионных микропримесей в его объеме
8. Предварительный (предростовой) расчет процесса выращивания монокристалла иодата лития, позволяющий использовать выращенный монокристалл для изготовления нелинейных оптических элементов
9. Методы выращивания монокристаллов иодата лития, позволяющие повысить эффективность использования его объема при изготовлении оптических элементов
Библиографический список
Приложение 1. Генерация второй гармоники
Приложение 2. Текст программы для вычисления параметров процесса выращивания гексагонального монокристалла иодата лития
Приложение 3. Текст программы для вычисления параметров процесса выращивания профилированного монокристалла иодата лития
Данный блок поддерживает скрол*