Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы радиационной стойкости изделий электронной техники. Радиационные эффекты в изделиях электронной техники
8. Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Условные обозначения
Введение
1. Краткое описание радиационных условий в окружающем пространстве
+
2. Основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками
+
3. Деградация полупроводниковых приборов и микросхем вследствие радиационно-индуцированных структурных повреждений
+
4. Влияние радиационно-индуцированных структурных повреждений на деградацию изделий оптоэлектроники
+
5. Дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики кремниевых приборов и микросхем
+
6. Дозовые ионизационные эффекты в изделиях биполярной технологии
+
7. Методы испытаний изделий электронной техники и радиоэлектронной аппаратуры на стойкость к воздействию ионизирующих излучений космического пространства в части дозовых эффектов
+
8. Одиночные события при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства
-
8.1. Основные виды и классификация одиночных событий
8.2. Краткое описание основных видов одиночных событий
8.3. Основные параметры чувствительности полупроводниковых приборов и микросхем к одиночным событиям
8.4. Общее описание процесса возникновения одиночных событий
8.5. Экспериментальные методы исследования чувствительности изделий полупроводниковой электроники к одиночным событиям при воздействии тяжелых заряженных частиц и протонов
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*