Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Основы технологии электронной компонентной базы. Моделирование технологических процессов получения тонкопленочных материалов
3. Исследование релаксации напряжений при гетероэпитаксии
/
/
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
1. Процессы молекулярно-лучевой эпитаксии
2. Методы контроля в установках молекулярно-лучевой эпитаксии
3. Исследование релаксации напряжений при гетероэпитаксии
4. Моделирование процесса получения пленок поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы
5. Моделирование процесса оптимизации размера зерна и удельного сопротивления пленки поликристаллического кремния
Приложение для выполнения лабораторных работ
Данный блок поддерживает скрол*