Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
6. Основные направления и проблемы создания полевых транзисторов на AlGaN/GaN-гетероструктурах
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
1. Новое направление полупроводниковой электроники - гетероструктурная наноэлектроника
2. Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
3. Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1-x и AIIIBV
4. Современные полевые гетеротранзисторы на основе соединений АIIIBV
5. Полевые гетеротранзисторы на материалах АIIIN
6. Основные направления и проблемы создания полевых транзисторов на AlGaN/GaN-гетероструктурах
7. Современные методы усовершенствования полевых AlGaN/GaN-гетеротранзисторов
8. Квантоворазмерные структуры и их применение
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*