Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
2. Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
Поставить закладку
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Введение
1. Новое направление полупроводниковой электроники - гетероструктурная наноэлектроника
2. Энергетическая диаграмма идеального гетероперехода
3. Биполярные гетеротранзисторы на Si/GexSi1-x и AIIIBV
4. Современные полевые гетеротранзисторы на основе соединений АIIIBV
5. Полевые гетеротранзисторы на материалах АIIIN
6. Основные направления и проблемы создания полевых транзисторов на AlGaN/GaN-гетероструктурах
7. Современные методы усовершенствования полевых AlGaN/GaN-гетеротранзисторов
8. Квантоворазмерные структуры и их применение
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*