Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ
Поставить закладку
1.1. Радиационные условия в космическом пространстве
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Оглавление
Условные обозначения
Введение
1. ОСНОВЫ ФИЗИКИ ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ С ПОЛУПРОВОДНИКАМИ
-
1.1. Радиационные условия в космическом пространстве
1.2. Величины, характеризующие ионизирующее излучение и его взаимодействие с веществом
1.3. Физические процессы при взаимодействии ионизирующих излучений с материалами электронной техники
2. ИЗМЕНЕНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРНЫХ СТРУКТУР ВСЛЕДСТВИЕ ВВЕДЕНИЯ СТРУКТУРНЫХ ДЕФЕКТОВ ПРИ РАДИАЦИОННОМ ОБЛУЧЕНИИ
+
3. ДОЗОВЫЕ ИОНИЗАЦИОННЫЕ ЭФФЕКТЫ В СТРУКТУРЕ Si/SiO2 И ИХ ВЛИЯНИЕ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ
+
4. ОСОБЕННОСТИ ДЕГРАДАЦИИ БИПОЛЯРНЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ НИЗКОИНТЕНСИВНОГО ИОНИЗИРУЮЩЕГО ИЗЛУЧЕНИЯ (ЭФФЕКТ ELDRS)
+
5. ОДИНОЧНЫЕ СОБЫТИЯ В БИС ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ОТДЕЛЬНЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВА
+
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*