Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Энергетическая релаксация в примесных металлах, двумерном электронном газе в AlGaAs/GaAs, сверхпроводниковых пленках NbN, и детекторы субмиллиметрового и ИК-излучения на их основе
ГЛАВА 2. РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ. ОБЗОР
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНКАХ И ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ В ALGAAS/GAAS-ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
+
ГЛАВА 2. РАЗОГРЕВ ЭЛЕКТРОНОВ И ЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ РЕЛАКСАЦИЯ В ТОНКИХ СВЕРХПРОВОДНИКОВЫХ ПЛЕНКАХ. ОБЗОР
-
2.1. МЕХАНИЗМ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ОТКЛИКА ПРИ ПОГЛОЩЕНИИ ОДИНОЧНЫХ ФОТОНОВ В СВЕРХПРОВОДНИКОВОЙ ТОНКОЙ ПЛЕНКЕ В УСЛОВИЯХ ПРОТЕКАНИЯ ТРАНСПОРТНОГО ТОКА
2.2. О МЕХАНИЗМЕ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ТЕМНОВЫХ ОТСЧЕТОВ СВЕРХПРОВОДНИКОВОГО ДЕТЕКТОРА
2.3. ФОРМА И ДЛИТЕЛЬНОСТЬ ИМПУЛЬСА НАПРЯЖЕНИЯ
2.4. СПЕКТРАЛЬНАЯ ЗАВИСИМОСТЬ КВАНТОВОЙ ЭФФЕКТИВНОСТИ
ГЛАВА 3. ОБЪЕКТЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
+
ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ИНТЕРФЕРЕНЦИИ ЭЛЕКТРОН-ФОНОННОГО И ЭЛЕКТРОН-ПРИМЕСНОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЙ НА ПРОВОДИМОСТЬ ПРИМЕСНЫХ МЕТАЛЛОВ
+
ГЛАВА 5. ВРЕМЯ ЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ РЕЛАКСАЦИИ ЭЛЕКТРОНОВ В ГЕТЕРОПЕРЕХОДАХ ALGAAS/GAAS ПРИ НИЗКИХ ТЕМПЕРАТУРАХ
+
ГЛАВА 6. СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЕ ОДНОФОТОННЫЕ ДЕТЕКТОРЫ НА ОСНОВЕ УЛЬТРАТОНКОЙ ПЛЕНКИ NBN
+
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЕ. РАСЧЕТ ТЕМПЕРАТУРНОЙ ЗАВИСИМОСТИ СКОРОСТИ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ В ПРИМЕСНЫХ МЕТАЛЛАХ НА ПРИМЕРЕ NB С ПОМОЩЬЮ ИНТЕГРИРОВАННОЙ СИСТЕМЫ MATHCAD
СПИСОК ПУБЛИКАЦИЙ АВТОРОВ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
Данный блок поддерживает скрол*