Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Моделирование 3D наносхемотехники
Глава 4. Теоретические основы переходной схемотехники
Поставить закладку
4.1. Математическая модель элемента переходной схемотехники
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 6 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие автора
Введение
Глава 1. Основные этапы развития элементной базы ЭВМ
+
Глава 2. Обзор и анализ состояния элементной базы для наноиндустрии. Перспективы развития
+
Глава 3. Переходная 3D наносхемотехника - новая компонентная концепция и новое качество в создании трехмерных интегральных схем
+
Глава 4. Теоретические основы переходной схемотехники
-
4.1. Математическая модель элемента переходной схемотехники
4.2. Основы твердотельной переходной схемотехники
4.3. Необходимость компьютерного физического моделирования интегральной структуры
4.4. Моделирование наноструктур (N = 2). Моделирование внутреннего и поверхностного p-n-переходов - основных компонентов твердотельной переходной схемотехники
4.4.1. 2D моделирование внутреннего p-n-перехода с минимальным топологическим размером 20 нм при электрическом воздействии на электроды
4.4.2. 3D моделирование внутреннего p-n-перехода с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды
4.4.3. 2D моделирование поверхностного p-n-перехода с минимальным топологическим размером 20 нм с электрическим воздействием на электроды
4.4.4. 3D моделирование поверхностного p-n-перехода с минимальным топологическим размером 20 нм и электрическим воздействием на электроды (p - n)
4.4.5. Анализ токовых характеристик внутреннего и поверхностного p-n-переходов
4.4.6. Технологическая доступность различных пространственных реализаций внутреннего и поверхностного p-n-переходов
4.4.7. Физические и математические модели для моделирования в Sentaurus Device (TCAD Synopsys 2008)
4.4.8. Сравнительный анализ наноструктур внутреннего и поверхностного p-n-переходов
Глава 5. Элементы переходной схемотехники
+
Глава 6. Система простейших логических элементов
+
Глава 7. Переходная схемотехника. Синтез математических моделей
+
Глава 8. Реализация функции И-НЕ в транзисторной и переходной схемотехниках
+
Глава 9. Реализация функции ИЛИ-НЕ в транзисторной и переходной схемотехниках
+
Глава 10. Транзисторная и переходная МОП-схемотехники
+
Глава 11. Транзисторная и переходная КМОП-схемотехники
+
Глава 12. Транзисторная и переходная БиМОП-схемотехники
+
Глава 13. Методика проектирования СБИС в переходной схемотехнике
+
Глава 14. Триггерные схемы
+
Глава 15. Последовательностные цифровые функциональные устройства ЭВМ
+
Глава 16. Регистры
+
Глава 17. Счетчики
+
Глава 18. Генераторы чисел
+
Глава 19. Комбинационные схемы устройств
+
Глава 20. Схемотехника матриц. Матричное проектирование
+
Глава 21. Автоматизация этапов проектирования СБИС в переходной схемотехнике
+
Глава 22. Система математических моделей и наноструктур логических элементов и элементов памяти переходной схемотехники различной размерности для полупроводниковой наноэлектроники
Глава 23. Сравнительный анализ транзисторной и переходной полупроводниковых схемотехник
+
Глава 24. Наноструктуры и их модели. Четыре типа переходной схемотехники
+
Заключение
Литература
Данный блок поддерживает скрол*