Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Физические основы кремниевой наноэлектроники
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
Поставить закладку
11.1. Диффузный и баллистический перенос носителей в полупроводниках
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 3 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Глава 1. Базисные физические уравнения
+
Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии
+
Глава 3. Структуры металл-окисел-полупроводник
+
Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ
+
Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ
+
Глава 6. Эффекты сильных электрических полей
+
Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ
+
Глава 8. Транзисторы технологии "кремний-на-изоляторе"
+
Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий
+
Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах
+
Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах
-
11.1. Диффузный и баллистический перенос носителей в полупроводниках
11.2. Вольт-амперная характеристика баллистического транзистора
11.3. Транспорт носителей в узких каналах и квантование проводимости
11.4. Квантовый точечный контакт
11.5. Две формулы для сопротивления
11.6. Роль контактов
11.7. Последовательные сопротивления и их аддитивность
Литература
Приложения
Данный блок поддерживает скрол*