Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Наноэлектроника: теория и практика
ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
Поставить закладку
3.1. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
ОБ АВТОРАХ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
+
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР
+
ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
-
3.1. Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров
3.1.1. Интерференция электронных волн
3.1.2. Вольтамперные характеристики низкоразмерных структур
3.1.3. Квантовый эффект Холла
3.1.4. Электронные приборы на основе интерференционных эффектов и баллистического транспорта носителей заряда
3.2. Туннелирование носителей заряда через потенциальные барьеры
3.2.1. Одноэлектронное туннелирование
3.2.2. Приборы на основе одноэлектронного туннелирования
3.2.3. Резонансное туннелирование
3.2.4. Приборы на основе резонансного туннелирования
3.3. Спин-зависимый транспорт носителей заряда
3.3.1. Гигантское магнитосопротивление
3.3.2. Спин-контролируемое туннелирование
3.3.3. Управление спинами носителей заряда в полупроводниках
3.3.4. Эффект Кондо
3.3.5. Спинтронные приборы
ПРAКТИКУМ
+
ПРИЛОЖЕНИЯ
+
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Данный блок поддерживает скрол*