Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Наноэлектроника: теория и практика
ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
Поставить закладку
1.1. Фундаментальные явления в низкоразмерных структурах
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 10 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
ОБ АВТОРАХ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ
-
1.1. Фундаментальные явления в низкоразмерных структурах
1.1.1. Квантовое ограничение
1.1.2. Баллистический транспорт носителей заряда
1.1.3. Туннелирование носителей заряда
1.1.4. Спиновые эффекты
1.2. Элементы низкоразмерных структур
1.2.1. Свободная поверхность и межфазные границы
1.2.2. Сверхрешетки
1.2.3. Моделирование атомных конфигураций
1.3. Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внутренним электрическим полем
1.3.1. Квантовые колодцы
1.3.2. Модуляционно-легированные структуры
1.3.3. Дельта-легированные структуры
1.4. Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внешним электрическим полем
1.4.1. Структуры металл/диэлектрик/полупроводник
1.4.2. Структуры с расщепленным затвором
ГЛАВА 2. МЕТОДЫ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОЭЛЕКТРОННЫХ СТРУКТУР
+
ГЛАВА 3. ПЕРЕНОС НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НИЗКОРАЗМЕРНЫХ СТРУКТУРАХ И ПРИБОРЫ НА ИХ ОСНОВЕ
+
ПРAКТИКУМ
+
ПРИЛОЖЕНИЯ
+
РЕКОМЕНДУЕМАЯ ЛИТЕРАТУРА
ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ
Данный блок поддерживает скрол*