5.1. Э.Л. Нагаев. Новый тип автолокализованного состояния носителя заряда в антиферромагнитных полупроводниках и проблема ВТСП
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf. Вам доступно 6 стр. из этой главы.