Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Материаловедение полупроводников и диэлектриков. Учебник для вузов
Раздел четвертый. Структурные дефекты d твердых телах, примеси, диффузия, легирование: влияние на свойства
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 23 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Регистрация
Предыдущая страница
Следующая страница
Оглавление
Предисловие
Введение
Раздел первый. Основные представления о химических связях, строении атомов и свойствах элементарных полупроводников, диэлектриков и металлов
+
Раздел второй. Химические связи, структура и свойства двойных и тройных полупроводниковых и диэлектрических соединений
+
Раздел четвертый. Структурные дефекты d твердых телах, примеси, диффузия, легирование: влияние на свойства
-
Глава 13. Структурные дефекты в реальных моно- н поликрнсталлнчеекпх твердых телах, их типы, источники образования, поведение, влияние на свойства
Глава 14. Особенности поверхностных явлений в полупроводниковых фазах
Глава 15. Примеси в полупроводниках и диэлектриках
Глава 16. Диффузия в материалах твердотельной электроники
Глава 17. ЛЕГИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ЯДЕРНЫХ РЕАКЦИЙ И ИОННЫХ ПУЧКОВ
Контрольные вопросы и задачи к четвертому разделу
Раздел пятый. Фазовые и структурные изменения, упругие напряжения при кристаллизации, пластической деформации, получение поликристаллических пленок, эпитаксиальных и аморфных слоев и их композиций
+
Раздел третий. Фазовые равновесия в полупроводниковых, диэлектрических и металлических системах
+
Приложение. Диаграммы фазовых равновесий
Рекомендательный библиографический список
Предметный указатель
Данный блок поддерживает скрол*