**Данные блоки поддерживают скрол
**Данные блоки поддерживают скрол вверх/вниз
11.00.00 Электроника, радиотехника и системы связи (МИСиС)
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники
АвторыТаперо К.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В курсе лекций по дисциплине "Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения" рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.<br> Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" и по специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено
2019-10-24
Электрооборудование и электропривод: исследование характеристик электропривода с использованием программного обеспечения Labdrive
АвторыФединцев В.Е., Анисимова М.С., Ваттана А.Б.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Приведены описания лабораторных работ по электрооборудованию и электроприводу, основные теоретические положения, общие методические рекомендации, представлены основные положения по программированию электропривода с микропроцессорным управлением и правила техники безопасности при работе на лабораторных стендах "Электрический привод". Рассмотрены основные принципы исследования характеристик привода с использованием программного обеспечения Labdrive.<br> Предназначен для студентов, обучающихся по направлению 150100 профиль 150106 и направлению 150400 профиль 150404. ...
Загружено
2019-11-01
Микросхемотехника
АвторыМурашев В.Н., Леготин С.А., Орлова М.Н., Мельников А.Л.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В курсе лекций приведен ретроспективный обзор основных электронных схем и устройств микроэлектроники. Представлено описание функционирования, методов анализа и синтеза наиболее важных устройств (логических и аналоговых интегральных схем, устройств памяти и т.д.). Значительное внимание уделено методам расчета и проектирования сверхбольших интегральных схем (СБИС), а также анализу их статических и динамических характеристик.<br> Приведено большое количество примеров конструкций и топологии (К-МОП и БИ-КМОП) элементной базы современных СБИС. <br>Курс лекций предназначен для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника" и специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено
2019-10-23
Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур
АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники - биполярных и полевых транзисторов - в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3-1,5 мкм. ...
Загружено
2019-09-19
Электротехника и электроника : расчет электрических цепей металлургических установок
АвторыКолистратов М.В.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Учебно-методическое пособие охватывает основной раздел курса "Электротехника и электроника": аналоговая электроника. Приведены методические указания к выполнению упражнений по электронике, а также примеры расчетов домашних заданий для устройств силовой электроники металлургических установок. <br>Предназначено для бакалавров, обучающихся по специальностям 130405, 150101-150104, 150109, 220301. ...
Загружено
2019-09-19
Свойства аморфных ферромагнитных микропроводов
АвторыТарасов, В.П.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Учебное пособие представляет собой описание компьютеризированного комплекса, позволяющего проводить измерения параметров аморфных ферромагнитных микропроводов на современном уровне. Измерения проводятся в автоматизированном режиме под управлением персонального компьютера в операционной системе Windows. Основное внимание уделено индукционному методу измерения магнитной восприимчивости на переменной частоте. Предназначено для бакалавров при работе над курсовыми научно- исследовательскими работами в рамках программ бакалавриата и будет полезно магистрам, аспирантам и научным сотрудникам, выполняющим работы исследовательского плана. ...
Загружено
2017-08-25
Технология микро- и наноэлектроники : технология мате- риалов магнитоэлектроники : лаб. практикум
АвторыКанева, И.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Лабораторный практикум содержит описание двенадцати лабораторных работ по курсам "Технология материалов магнитоэлектроники" и "Материаловедение магнитоэлектроники". Приведены методики определения характеристик порошков, а также измерения и расчета электромагнитных и механических свойств спеченных керамических материалов. Рассмотрена связь химического и фазового состава с параметрами микроструктуры и свойствами ферритов. Приведены методики определения количественных характеристик микроструктуры. Предназначен для студентов IV и V курсов, обучающихся по специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", и магистров I и II годов обучения по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника". ...
Загружено
2017-08-25
Микроэлектроника
АвторыОрлова М.Н., Борзых И.В.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
В практикуме содержатся лабораторные работы по курсу "Микроэлектроника", выполненные с помощью программы схемотехнического анализа MicroCap-8. В процессе выполнения лабораторных работ студенты приобретут основные знания по компьютерному анализу и синтезу электронных устройств: вводу электронных схем с помощью графического редактора, оформлению задания на моделирование, методике проведения анализа переходных процессов (TRANSIENT Analysis), анализу по переменному току (AC analysis) и по постоянному току (DC analysis).<br> Лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника" и специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено
2019-10-28
Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника
АвторыКольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
В лабораторном практикуме приводится описание лабораторных работ, предназначенных для детального и углубленного изучения физических процессов в приборах и структурах современной полупроводниковой электроники - диодах и биполярных транзисторах. <br>Предназначен обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Загружено
2019-10-27
Электронные устройства автоматики
АвторыЗахаров Н.А., Салихов М.З.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Цель лабораторного практикума - закрепить знания, полученные на лекциях по курсу "Электронные устройства автоматики". <br>Приведены лабораторные работы по изучению дискретных и аналоговых электронных устройств и схем. Рассматриваются как статические режимы, так и переходные процессы. Изложены необходимые теоретические сведения. <br>Соответствует учебной программе курса "Электронные устройства автоматики".<br> Предназначен для студентов специальности 210200, но может быть полезен и студентам других специальностей. ...
Загружено
2019-09-23
Твердотельная электроника
АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Рассмотрены физические явления на границе раздела полупроводник - диэлектрик и в контактах металл - полупроводник. Изложены физические принципы работы большинства известных полупроводниковых приборов: диодов, транзисторов, фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров. Уделено внимание гетеропереходам и приборам на их основе. Проанализирована работа транзисторных структур, использующих свойства двумерного электронного газа. Изучаемый курс завершает физическую подготовку бакалавров и инженеров в данном направлении; имеет как теоретическую, так и практико-ориентированную направленность, - является составной частью профессиональной подготовки.<br> Предназначено для изучения курса "Твердотельная электроника" студентами специальности 210100 "Электроника и микроэлектроника" и направления 150600 "Материаловедение и технология материалов". ...
Загружено
2019-09-19
Электротехника и электроника: Проектирование маломощного источника вторичного электропитания
АвторыКнязькова Т.О.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Учебно-методическое пособие предназначено для выполнения курсовой работы или домашнего задания по курсу "Электроника". В пособии предложено теоретическое введение, где изложены принципы работы основных элементов и блоков источника вторичного электропитания, показаны методы расчета параметров элементов. Приведен пример инженерного проектирования маломощного источника вторичного питания. Учебно-методическое пособие предназначено для студентов специальностей 140400, 210100, 150601, 210104, 280101, 15005, 150108, 280200, 200503. ...
Загружено
2019-09-19
Электротехника и электроника: Электротехника в программной среде Multisim
АвторыАнисимова М.С., Маняхин Ф.И., Попова И.С., Колистратов М.В.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Изложены основные теоретические сведения и расчетные формулы по темам лабораторных работ по электротехнике. Приведены описания схем электрических цепей и устройств, смоделированные в программной среде Multisim, даны общие методические рекомендации к выполнению лабораторных работ, обработке данных и оформлению отчетов о работах.<br> Предназначен для студентов специальностей 010700, 130405, 150101, 150102, 150103, 150104, 150105, 150106, 150108, 150109, 150404, 150701, 150702, 200503, 210602, 220301, 280101, 280200 при выполнении лабораторных работ по курсу "Электротехника и электроника". ...
Загружено
2019-09-04
Основы математического моделирования
АвторыЮрчук С.Ю., Орлова М.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
В учебном пособии рассматриваются методы решения задач линейных и нелинейных уравнений, методы теории приближения функций, численное дифференцирование и интегрирование, решение обыкновенных дифференциальных уравнений, моделирование процессов диффузии на языке Visual Basic 6.0; содержится практическое руководство объектно-ориентированного программирования на языке Visual Basic 6.0. <br>Соответствует программе курса "Основы математического моделирования". <br>Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника" и специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено
2020-01-06
Гетероструктурная наноэлектроника
АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
Пособие посвящено анализу нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3.. .1,5 мкм.<br>Предназначено для студентов, обучающихся по специальности "Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника" и направлению "Электроника и микроэлектроника". ...
Загружено
2020-01-05
Вакуумная и плазменная электроника
АвторыКурочка С.П., Кузнецов Г.Д., Курочка А.С.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
Рассматриваются физические основы вакуумной и плазменной электроники и основные направления их применения. Анализируются возможности создания, управления и транспортировки электронных потоков. Рассматриваются физические основы эмиссионной электроники. Анализируются электрические явления в газоразрядном промежутке, примеры преобразования потоков ионизированных частиц и режимы работы плазменных дисплеев. <br>Содержание курса соответствует государственному образовательному стандарту по направлению "Электроника и микроэлектроника".<br> Предназначено для студентов-бакалавров, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника". ...
Загружено
2019-10-27
Панель управления
Читайте книги в приложении Консутльтант Студента на iOS, Android или Windows