Искать
Везде
По названиям
По авторам
Издательство
Тип издания
Год издания
Издательства
Абрис
Академический Проект
Альпина ПРО
Альпина Бизнес Букс
Альпина нон-фикшн
Альпина Паблишер
Альтаир
АНТЕЛКОМ
АСВ
Аспект-Пресс
АСТ-ПРЕСС КНИГА
Белорусская наука
БИНОМ
Блок-Принт
Брянский ГАУ
ВАКО
ВГУИТ
Вече
ВКН
ВЛАДОС
Время
ВШОУЗ-КМК
Высшая школа экономики
Вышэйшая школа
Галарт
Гангут
Генезис
ГИОРД
Горная книга
Горячая линия - Телеком
Грамота
ГЭОТАР-Медиа
Дашков и К
Дело
Деловой стиль
Директ-Медиа
Директмедиа Паблишинг
Дмитрий Сечин
ДМК-пресс
ДОДЭКА
Зерцало-М
Златоуст
Знак
Ивановская ГСХА
Ивановский ГХТУ
Издательский дом "ГЕНЖЕР"
Издательский дом В. Ема
Институт общегуманитарных исследований
Институт психологии РАН
Интеллект-Центр
Интеллектуальная литература
Интермедиатор
Интермедия
ИНТУИТ
Инфра-Инженерия
Казанский ГМУ
Каро
КГАВМ
Книгодел
Книжный мир
КНИТУ
Когито-Центр
КолосС
Корвет
КТК "Галактика"
КФУ
Лаборатория знаний
Литтерра
Логос
Машиностроение
МГИМО
МГТУ им. Н.Э. Баумана
МГУ им. Ломоносова
Медицина
Международные отношения
Менеджер здравоохранения
Мир и образование
МИСИ - МГСУ
МИСиС
Молодая гвардия
МЭИ
Нижегородский ГАСУ
Новосибирcкий ГУ
Новосибирский ГТУ
Олимпия
Оренбургский ГУ
Оригинал-макет
Перо
Персэ
Политехника
Прогресс-Традиция
Прометей
Просвещение
Проспект
Проспект Науки
Р. Валент
РГ-Пресс
РГГУ
Ремонт и Сервис 21
РИПО
Родники
РУДН
Рукописные памятники Древней Руси
Русистика
Русско-китайское юридическое общество
Русское слово - учебник
РязГМУ
Санкт-Петербургский медико-социальный институт
САФУ
В. Секачев
Секвойя
СибГУТИ
СибГУФК
Сибирское университетское издательство
Синергия
СКИФИЯ
Советский спорт
СОЛОН-Пресс
Социум
Спорт
Ставропольский ГАУ
Статут
Стрелка Пресс
Студия АРДИС
СФУ
ТГАСУ
Текст
Теревинф
Терра-Спорт
Техносфера
Томский ГУ
Точка
Университетская книга
Феникс
Физматлит
Финансы и статистика
Флинта
Химиздат
Хоббитека
Человек
Эксперт-Наука
Юнити-Дана
Юстицинформ
ЮФУ
Языки славянских культур
отметить всеснять все метки
**Данные блоки поддерживают скрол
Типы изданий
автореферат диссертации
адресная/телефонная книга
антология
афиша
биобиблиографический справочник/словарь
биографический справочник/словарь
букварь
документально-художественное издание
задачник
идеографический словарь
инструктивно-методическое издание
инструкция
каталог
каталог аукциона
каталог библиотеки
каталог выставки
каталог товаров и услуг
материалы конференции (съезда, симпозиума)
монография
музейный каталог
научно-художественное издание
научный журнал
номенклатурный каталог
орфографический словарь
орфоэпический словарь
памятка
переводной словарь
песенник
практикум
практическое пособие
практическое руководство
прейскурант
препринт
пролегомены, введение
промышленный каталог
проспект
путеводитель
рабочая тетрадь
разговорник
самоучитель
сборник научных трудов
словарь
справочник
стандарт
тезисы докладов/сообщений научной конференции (съезда, симпозиума)
терминологический словарь
толковый словарь
уставное издание
учебная программа
учебник
учебно-методическое пособие
учебное наглядное пособие
учебное пособие
учебный комплект
хрестоматия
частотный словарь
энциклопедический словарь
энциклопедия
этимологический словарь
языковой словарь
отметить всеснять все метки
**Данные блоки поддерживают скрол вверх/вниз

МИСиС (28.00.00 Нанотехнологии и наноматериалы)

Панель управления
Показано 33..48 из 58

Элионная технология в микро- и наноиндустрии : ускоренные ионы

АвторыКузнецов Г.Д., Кушхов А.Р., Сергиенко А.А., Харламов Н.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В учебном пособии рассматриваются в основном практические результаты по изменению параметров приповерхностных слоев материалов электронной техники ионным внедрением примесей. Приводятся результаты по особенностям распределения внедренной примеси в аморфных и кристаллических материалах и их теоретическое обоснование. Анализируются результаты по легированию приповерхностных слоев с использованием так называе- мых атомов отдачи при ионном внедрении. Соответствует программе курса "Элионная технология в микро- и наноиндустрии". Предназначено для магистров, специализирующихся по направлениям "Электроника и наноэлектроника" и "Нанотехнология и микросистемная техника", и может быть полезно обучающимся по направлению "Наноматериалы". ...
Загружено 2017-08-25

Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом : ускоренные электроны : учеб. пособие

АвторыКузнецов, Г.Д.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
Учебное пособие посвящено основам физики взаимодействия ускоренных электронов с твердым телом, широко применяемых в электронике. Рассматривается энергетика и основные взаимодействия электронов с веществом в зависимости от их энергии. Анализируются особенности взаимодействия электронов с тонкопленочными гетерокомпозициями, включая дефектообразование. Рассматриваются основы теории электронно-лучевого нагрева облучаемого электронами твердого тела. В каждой главе приводятся контрольные вопросы для проверки усвоения материала, темы практических занятий и индивидуальных домашних заданий. Учебное пособие подготовлено по рекомендации горно-металлургической секции PAEН. Соответствует программе курса "Физика взаимодействия ускоренных ионов, электронов и атомов с веществом". Предназначено для бакалавров и магистров, обучающихся по направле- нию "Электроника и наноэлектроника" и может быть полезно для обучаю- щихся по направлению "Нанотехнологии и микросистемная техника". ...
Загружено 2017-08-25

Процессы получения наночастиц и наноматериалов. Нанотехнологии : нанотехнологии

АвторыДзидзигури, Э.Л.
ИздательствоМИСиС
Год издания2012
В учебном пособии рассмотрены вопросы терминологии в области нанотехнологий, проанализирована взаимосвязь размерных эффектов и области применимости нанотехнологий, описаны основные группы нанотехнологий, дана характеристика ряда новых, промышленно освоенных нанотехнологий. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210602 "Наноматериалы", 210100 "Электроника и наноэлектроника", а также для студентов других направлений, преподавателей, аспирантов и слушателей курсов повышения квалификации. ...
Загружено 2017-08-25

Соврменные методы исследования наноструктур: метод оптической поверхностно-плазмонной микроскопии

АвторыВалянский С.И., Наими Е.К.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Настоящее пособие является первым из планируемых учебных пособий под общим названием "Современные методы исследования наноструктур". Цель данного пособия - дать представление о бурно развивающемся в последнее время методе исследования вещества с помощью поверхностных плазмон-поляритонных волн и, в частности, о методе оптической поверхностно-плазмонной микроскопии. Рассмотрены вопросы теории взаимодействия электромагнитных волн с веществом (нормальная и аномальная дисперсия), условия возбуждения и распространения поверхностных электромагнитных волн (ПЭВ) на границе раздела металл - диэлектрик, дисперсионное соотношение для ПЭВ, различные типы ПЭВ. Описаны существующие методы получения и регистрации ПЭВ. Приведены многочисленные примеры применения поверхностного плазмонного резонанса (ППР), в том числе: определение оптических характеристик металлов с помощью ПЭВ, оптический микроскоп на поверхностных плазмонах, ППР-спектроскопия биомолекул, сенсорные устройства и др. Дается представление о новом классе материалов - метаматериалах и возможностях их применения (суперлинза, фотонные кристаллы). Очерчены направления развития новых отраслей науки и техники, таких как нанофотоника и плазмоника. <br>Содержание пособия соответствует учебной программе курса "Наноматериалы". <br>Предназначено для самостоятельной работы студентов магистратуры и аспирантов, обучающихся по направлениям 150100 (Металлургия) и 210602 (Электроника и наноэлектроника). ...
Загружено 2019-12-25

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения. Основы радиационной стойкости изделий электронной техники

АвторыТаперо К.И.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В курсе лекций по дисциплине "Основы радиационной стойкости изделий электронной техники космического применения" рассмотрены следующие вопросы: основы физики взаимодействия ионизирующих излучений с полупроводниками; изменение электрофизических параметров биполярных приборных структур вследствие введения структурных дефектов при радиационном облучении; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики полупроводниковых приборов и микросхем; особенности деградации биполярных приборов и микросхем при воздействии низкоинтенсивного ионизирующего излучения; одиночные события в изделиях электроники и микроэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц космического пространства; численное моделирование радиационных эффектов в кремниевых приборах при воздействии ионизирующего излучения космического пространства.<br> Предназначено для студентов, обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника" и по специальности 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника". ...
Загружено 2019-10-24

Транзисторы на основе полупроводниковых гетероструктур

АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
Рассмотрены физические принципы работы наиболее распространенных приборов полупроводниковой электроники - биполярных и полевых транзисторов - в их современном модернизированном исполнении на основе гетероструктурных композиций. На их примере дан анализ нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектроники. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией, и охватывает она разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Приведены примеры реализации транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV. Установлены зависимости между размерами активных областей, составом материала и параметрами прибора. Выполнено сравнение и оценка возможностей материалов и приборов на их основе. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием нанотранзисторов, а также фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3-1,5 мкм. ...
Загружено 2019-09-19

Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и наноструктур: диффузия

АвторыЮ.В. Осипов, М.Б. Славин
ИздательствоМИСиС
Год издания2011
В учебном пособии представлены выводы уравнения диффузии и уравнения Пуассона. Получено уравнение диффузии, учитывающее наличие электрического поля в области контакта двух различных материалов. Рассмотрено влияние химических реакций на процессы диффузии. Приведены решения диффузионных задач, в которых учтено: отличие коэффициентов диффузии на различных границах раздела фаз, присутствие внутреннего электрического поля, наличие химических реакций в области контакта материалов. Представлены программы на языке С++, дающие возможность читателю самостоятельно решать задачи, указанные выше, и их комбинации. Соответствует государственному образовательному стандарту дисциплины "Компьютерное моделирование нанотехнологий, наноматериалов и нано-структур". Предназначено для магистров, обучающихся по направлениям 210100 "Электроника и наноэлектроника" и 150100 "Материаловедение и технологии материалов". ...
Загружено 2017-08-25

Процессы получения наночастиц и наноматериалов, нанотехнологии

АвторыБлинков И.В., Добаткин С.В., Кузнецов Д.В., Филонов М.Р., Волхонский А.О.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Приведено описание лабораторных работ по процессам получения и изучению свойств основных классов наноструктурных материалов: нанопорошков; объемных наноматериалов, полученных методами интенсивной пластической деформации и контролируемой кристаллизацией из аморфного состояния; наноструктурных покрытий. <br>Предназначен для студентов специальности 210602 "Наноматериалы и нанотехнологии". Может быть использован студентами специальности 150701 "Физико-химия процессов и материалов" при изучении спецкурсов. ...
Загружено 2020-01-03

Фазовые равновесия и структурообразование. Превращения в твердом состоянии в металлах и сплавах

АвторыЛилеев А.С., Малютина Е.С., Старикова А.С.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
В курсе лекций учтены особенности учебного плана и уделено значительное внимание физико-химическим и термодинамическим основам процессов, приводящих к структурным изменениям в металлах и сплавах. Изложен материал, который является обобщением последних достижений в области металловедения. Рассмотрены роль термоупругой энергии при мартенситном механизме полиморфного превращения и эффект памяти формы, имеющий практическое применение. Включены вопросы, связанные с методами наблюдения доменной структуры и взаимосвязи металлографической и магнитной доменной структур. Даны современные представления о структуре границы зерна с позиции модели решеток совмещенных узлов. Приведено описание решеток совмещенных узлов, кратко представлены свойства общих и специальных границ. Детально рассмотрены вопросы структурообразования и термодинамики спинодального механизма распада твердого раствора. <br>Курс предназначен для студентов специальностей "Физико-химия процессов и материалов", "Физика металлов", "Наноматериалы" направления 150700 "Физическое материаловедение", а также для бакалавров по направлению "Физика", изучающих курс "Фазовые равновесия и структурообразование". ...
Загружено 2019-10-24

Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника

АвторыКольцов Г.И., Диденко С.И., Орлова М.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
В лабораторном практикуме приводится описание лабораторных работ, предназначенных для детального и углубленного изучения физических процессов в приборах и структурах современной полупроводниковой электроники - диодах и биполярных транзисторах. <br>Предназначен обучающихся по направлению 210100 "Электроника и наноэлектроника". ...
Загружено 2019-10-27

Перспективные коррозионно-стойкие материалы и технологии защиты металлов от коррозии: Аморфные и нанокристаллические материалы

АвторыПустов Ю.А.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
Описана история создания аморфных металлических сплавов. Приведены методы получения и условия образования аморфных структур. Изложены современные представления о структуре аморфных сплавов и процессах ее эволюции. Систематизированы сведения о влиянии природы химических элементов, входящих в состав сплавов, на их коррозионную стойкость. Рассмотрены особенности и закономерности коррозионно-электрохимического поведения аморфных сплавов системы Fe-Si-B-Cu-Nb (типа Finemet) в связи с процессами нанокристаллизации. Курс лекций предназначен для студентов специальности 150701 "Физико-химия процессов и материалов". Может быть также полезен студентам, обучающимся по специальностям 150702 "Физика металлов" и 210602 "Наноматериалы" при изучении курса "Наноматериалы и нанотехнологии" ...
Загружено 2017-08-29

Физико-химия наноструктурных материалов

АвторыЛёвина В.В., Конюхов Ю.В., Филонов М.Р., Кузнецов Д.В., Чупрунов К.О.
ИздательствоМИСиС
Год издания2010
В последние годы отмечается быстрый рост научного, промышленного и коммерческого интереса к нанотехнологиям, связанным с новым классом материалов, которые называют наноструктурными или наноматериалами. Появление этого класса материалов отражает стремление к миниатюризации в практике различных объектов и возможность создания новых функциональных материалов с заданными свойствами. Целью выполнения лабораторных работ является овладение навыками в получении нанопорошков методами химического диспергирования, а также изучение ряда физико-химических характеристик синтезированных материалов. Предназначен для студентов специальностей 150700 "Физическое материаловедение", 150701 "Физико-химия процессов и материалов", 210602 "Наноматериалы". ...
Загружено 2017-08-25

Дифракционные и микроскопические методы и приборы для анализа наночастиц и наноматериалов

АвторыВекилова Г.В., Иванов А.Н., Ягодкин Ю.Д.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
В учебном пособии рассмотрены физические основы методов и аппаратура для проведения рентгеноструктурного, электроно- и нейтронографического анализов, просвечивающей электронной микроскопии, растровой электронной микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа, позволяющие исследовать химический состав и структуру различных материалов, в том числе и нанокристаллических. Особое внимание уделено описанию возможностей этих методов, их точности, чувствительности и локальности. <br>Соответствует программе курса "Методы и приборы для анализа и диагностики наночастиц и наноматериалов". <br>Предназначено для студентов, обучающихся по направлению "Нанотехнология" (специальность "Наноматериалы") и по направлению "Материаловедение и технологии материалов" (профиль "Материаловедение и технологии наноматериалов и наносистем"). ...
Загружено 2019-12-17

Фазовые равновесия и структурообразование

АвторыЛилеев А.С., Малютина Е.С.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
Сборник задач по диаграммам фазового равновесия трехкомпонентных систем и диаграмме равновесия системы железо-углерод составлен с целью привития студентам компетентностных навыков в пользовании диаграммами фазового равновесия для построения кривых охлаждения и нагрева, для определения состава и количественного соотношения фаз и структурных составляющих в сплавах.<br> Предназначен для студентов специальностей 150701, 150702, 210602, 200503 и направлений 150100 и 010700. ...
Загружено 2020-01-05

Органическая химия

АвторыСтаханова С.В., Свириденкова Н.В., Калашник А.Т., Чернова О.П.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
В практикуме приведены лабораторные работы по курсу органической химии в соответствии с программой курса по данной дисциплине. Даны основные правила техники безопасности при работе с органическими веществами и первой помощи при несчастных случаях.<br> Для студентов, специализирующихся в области обогащения и металлургии руд цветных металлов, нанотехнологии (материаловедения), безопасности жизнедеятельности и защиты окружающей среды (130405, 210602, 150102, 280101, 280202). ...
Загружено 2020-01-06

Гетероструктурная наноэлектроника

АвторыКовалев А.Н.
ИздательствоМИСиС
Год издания2009
Пособие посвящено анализу нового направления электроники - гетероструктурной наноэлектронике. Это часть более масштабного направления, называемого нанотехнологией и охватывающего разработку полупроводниковых приборов и устройств субмикронных размеров. Даны примеры реализации полевых и биполярных транзисторов на основе гетеросистем из материалов Ge/Si и AIIIBV с субмикронными размерами активных областей. Рассмотрены механизмы формирования и условия получения гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками в системах Ge/Si и InAs/GaAs с учетом элементов самоорганизации при эпитаксии. Интерес к самоупорядоченным наноструктурам обусловлен созданием фотоприемников и источников излучения в диапазоне длин волн 1,3.. .1,5 мкм.<br>Предназначено для студентов, обучающихся по специальности "Микроэлектроника и твердотельная микроэлектроника" и направлению "Электроника и микроэлектроника". ...
Загружено 2020-01-05
Панель управления
Android Logo
iOS Logo
Читайте книги в приложении Консутльтант Студента на iOS, Android или Windows
Показано 33..48 из 58