АвторыПолисан А.А., Астахов В.П.
Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+-p-p+(p+-n-n+)-типа
ИздательствоМИСиС
Тип изданияучебно-методическое пособие
Год издания2007
Скопировать биб. запись
Для каталогаПолисан, А. А. Основы радиационных технологий. Расчет режимов ионной имплантации и профиля распределения имплантированных атомов примеси на примере изготовления кремниевых солнечных элементов n+-p-p+(p+-n-n+)-типа : Метод. указания / Полисан А. А. , Астахов В. П. - Москва : МИСиС, 2007. - 18 с. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/Misis_394.html (дата обращения: 22.12.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияВ методических указаниях рассматриваются принципы расчета режимов ионной имплантации при формировании структур n+-p-p+(p+-n-n+)-типа и профилей распределения имплантированной примеси. Излагается методика расчета в программе Math Cad 2001. <br>Методические указания предназначены для студентов, обучающихся по специальностям 150601 "Материаловедение и технология новых материалов" и 210104 "Микроэлектроника и твердотельная электроника".