АвторыЛадыгин Е.А., Лагов П.Б., Мурашев В.Н.
Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет
ИздательствоМИСиС
Тип изданияучебно-методическое пособие
Год издания2001
Скопировать биб. запись
Для каталогаЛадыгин, Е. А. Физические процессы в полупроводниках при облучении быстрыми частицами. Теория и расчет : Учеб. - метод. пособие / Ладыгин Е. А. , Лагов П. Б. , Мурашев В. Н. - Москва : МИСиС, 2001. - 47 с. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/Misis_155.html (дата обращения: 31.12.2024). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияВ пособии кратко изложены современные теоретические представления об образовании первичных дефектов в объеме полупроводника, приведены формулы для расчета основных электрофизических параметров монокристаллических полупроводников при воздействии быстрых частиц и гамма-квантов в широком диапазоне энергий. Цель пособия заключается в приобретении практических навыков выполнения расчета полного числа неравновесных смещений атомов в единице объема полупроводникового монокристалла при облучении различными видами частиц и гамма-квантов надпороговых энергий. Приведены точные значения фундаментальных физических констант, необходимых для расчетов, а также наглядные графические зависимости рассчитываемых параметров от условий облучения для кремния, которые полезно использовать для самопроверки результатов расчета. <br>Пособие предназначено для студентов специальности 200100 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", выполняющих курсовые работы по дисциплине "Основы лучевой технологии микроэлектроники", а также пособие будет полезно студентам, аспирантам и специалистам, выполняющим дипломные и научно-исследовательские работы в области радиационной физики, материаловедения, технологии полупроводниковых приборов и интегральных схем.