В лабораторном практикуме рассматриваются методики характеризации каскадных фотоэлектрических преобразователей энергии (солнечных элементов) на основе материалов АIIIBV/Ge, позволяющие учитывать их особенности и нашедшие применение при разработке, отладке технологии и непосредственно при производстве таких приборов для использования их в составе солнечных батарей космических аппаратов.Практикум включает три раздела, в которых представлены методики характеризации фотоэлектрических преобразователей и их структурных частей по электрическим, оптическим параметрам, а также методы выявления технологических дефектов. Теоретическое введение, предшествующее каждой из практических частей практикума, позволяет получить минимально необходимые знания как по фундаментальным вопросам физики полупроводников, источников оптического излучения, так и по прикладным вопросам работы полупроводниковых приборов и технологическим аспектам их создания и др. В практической части рассмотрены методики характеризации фотоэлектрических преобразователей с помощью импульсного имитатора внеатмосферного солнечного излучения, установки измерения внешнего кантового выхода фотоотклика, установки измерения электролюминесценции, эллипсометра, спектрофотометра, оптического микроскопа. Методики характеризации эпитаксиальных слоев и композиций из них рассмотрены в первой части практикума (№ 3504).
Предназначен для обучающихся в магистратуре по направлению подготовки 11.04.04 "Электроника и наноэлектроника" (трек "Перспективные полупроводниковые оптоэлектронные приборы").