АвторыB.C. Данилов, Ю.Н. Раков
Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Ч. 4
ИздательствоНовосибирский ГТУ
Тип изданияучебное пособие
Год издания2011
Скопировать биб. запись
Для каталогаДанилов, В. С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Ч. 4 : учеб. пособие / B. C. Данилов, Ю. Н. Раков - Новосибирск : Изд-во НГТУ, 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1. - Текст : электронный // ЭБС "Консультант студента" : [сайт]. - URL : https://www.studentlibrary.ru/book/ISBN9785778216181.html (дата обращения: 01.01.2025). - Режим доступа : по подписке.
АннотацияВ четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.