Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Гетероструктурная наноэлектроника
3. Полевые гетеротранзисторы на AIIIBV
Поставить закладку
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 7 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Новое направление полупроводниковой электроники -гетероструктурная наноэлектроника
2. Биполярные гетеротранзисторы на основе Si/Gex Si1-x и AIIIBV
+
3. Полевые гетеротранзисторы на AIIIBV
-
3.1. Псевдоморфные AlGaAs/InGaAs PHEMT на GaAs
3.2. InP НЕМТ и метаморфные GaAs МНЕМТ
3.3. HEMT с каналами из InAs и InSb
3.4. Полевые гетеротранзисторы на материалах AIIIN
4. Квантоворазмерные структуры и их применение
+
5. Механизмы формирования гетероэпитаксиальных структур с квантовыми точками
+
6. Приборы на основе использования массивов квантовых точек
+
Заключение
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*