Поиск

Закладки

Озвучивание недоступно

Озвучить книгу

Изменить режим чтения

Изменить размер шрифта

Оглавление

Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.

Моделирование полупроводниковых приборов

5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений

Предыдущая страница

Следующая страница

Table of contents

Введение

1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС +

2. Физико-топологическое моделирование работы диода +

3. Моделирование работы биполярного транзистора +

4. Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы)+

5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений -

5.1. Достоинства дифференциально-разностных методов

5.2. Элементы с сосредоточенными параметрами

5.3. Модель Линвилла для участка кристалла

5.4. Пример построения одномерной распределённой модели транзистора

5.5. Модели диода с сосредоточенными параметрами

5.6. Модели транзистора с сосредоточенными параметрами

Библиографический список

Данный блок поддерживает скрол*