Справка
x
Поиск
Закладки
Озвучить книгу
Изменить режим чтения
Изменить размер шрифта
Оглавление
Для озвучивания и цитирования книги перейдите в режим постраничного просмотра.
Моделирование полупроводниковых приборов
5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений
Поставить закладку
5.1. Достоинства дифференциально-разностных методов
Если Вы наш подписчик,то для того чтобы скопировать текст этой страницы в свой конспект,
используйте
просмотр в виде pdf
. Вам доступно 3 стр. из этой главы.
Для продолжения работы требуется
Registration
Предыдущая страница
Следующая страница
Table of contents
Введение
1. Основные методы построения моделей полупроводниковых приборов и ИС
+
2. Физико-топологическое моделирование работы диода
+
3. Моделирование работы биполярного транзистора
+
4. Униполярные транзисторы (МДП-транзисторы)
+
5. Дифференциально-разностные методы решения базовой системы уравнений
-
5.1. Достоинства дифференциально-разностных методов
5.2. Элементы с сосредоточенными параметрами
5.3. Модель Линвилла для участка кристалла
5.4. Пример построения одномерной распределённой модели транзистора
5.5. Модели диода с сосредоточенными параметрами
5.6. Модели транзистора с сосредоточенными параметрами
Библиографический список
Данный блок поддерживает скрол*